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永磁铁变温霍尔测试系统 HSPM-05VT

永磁铁变温霍尔测试系统 HSPM-05VT

产品简介

HSPM-05VT变温霍尔测试系统能样品提供一个80K到500K的连续变温、0.5T垂直磁场测试环境,可以测试变温下的霍尔参数。双层样品座设计,底部为光学样品座,通过增加四探针加四接线柱样品座盖板实现探针样品座功能。接线柱支持增加探针,改造为六探针样品座,能同时满足霍尔巴样品和范德堡样品的测试。

产品概述

HSPM-05VT变温霍尔测试系统由霍尔测试仪、液氮存储式恒温器以及永磁铁运动机构组成,可以给样品提供一个80K到500K的连续变温、0.5T垂直磁场测试环境,可以测试变温下的霍尔参数,为既需要低温又需要高温的科学实验提供了极大的便利。这是一款性价比极高,也是使用用户较多的霍尔测试系统,可以实现较大范围的温度测试,也可配其它电表,作为一个纯粹的温度环境和磁环境用于其它测试。


系统特点:
• 双层样品座设计,底部为光学样品座,通过增加四探针加四接线柱样品座盖板实现探针样品座功能。接线柱支持
增加探针,改造为六探针样品座,能同时满足霍尔巴样品和范德堡样品的测试。
• 装有调节支架,可调整恒温器竖直方向的位置。
• 磁铁移动装置可使永磁铁前后移动和翻转。
• 可快速打开样品室,更换样品。
• 液氮可以通过顶端的液氮补充口方便的灌装,补充液氮不会影响系统的控温。
• 恒温器带有液氮流量调节杆,可以用来调节恒温器的冷量。
• 与低温同轴电缆和三同轴/SMA接头配合使用,漏电流小于1pA@1V。
• 内置加热器和传感器与外部的控温仪配合实现低温恒温器的变温和控温。


测试材料:
• 热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池:(A硅(单晶硅、非晶硅)
CIGS(铜铟镓硒)、碲化镉、钙钛矿等)
• 有机材料:(OFET、OLED)
• 透明导电金属氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO
IGZO(铟镓锌氧化物)等)
• 半导体材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、
SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料:石墨烯、BN、MoS2等


技术参数

参数和指标:

标准电阻范围
10mΩ-100GΩ
迁移率
10-2-106cm2/VS
载流子浓度
8x102-8x1023/cm3
电压激励范围
100nV ~ 10V
电流激励范围
10pA ~ 100mA
测试方法
范德堡或霍尔巴
样品尺寸
Φ50mm
样品接触方式
四探针样品座,可升级六探针或接线柱
样品温度
80-500K
样品环境
真空
磁场
0.5T
磁场调节方式
手动位移及翻转
磁铁间隙
30mm
磁场均匀区
10mm*10mm*10mm优于5%

应用领域

  • 集成电路
  • 芯片
  • 晶圆片

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