MMR霍尔效应测量系统

美国 MMR 霍尔效应测量系统 H5000，霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。

测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

MMR霍尔效应测量系统主要参数

（1）磁场强度：0.5T 电磁体（0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体两种磁场可选）

（2）磁场类型：电磁铁

（3）磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %

（4）电阻率范围：10^-6~10¹³ Ohm*cm

（5）电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

（6）载流子浓度：10² ~10²²cm-3

（7）迁移率：10^-2~10⁹ cm² /volt*sec

（8）电流范围：0.1 pA~10mA

（9）电流精度：2%

（10）电压范围：±2.5V,最小可测到6×10-6V

（11）电压分辨率：3×10-7V

（12）电压精度：2%

MMR霍尔效应测量系统主要特点

1.宽的工作温度范围（70-730K）
2.高的温度稳定性和重复性（±0.1K）
3.可选电磁场（1.4T和5000高斯）和永磁体5000高斯
4.灵活配置的模块设计，可以根据经费和实验需求组建系统
5.低运行成本
6.无机械、声学和电子噪声

MMR霍尔效应测量系统主要应用

半导体材料（比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe）、电磁材料（磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体）的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率测量。