HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁、霍尔测试仪、控制器、样品变温选件等部分组成。根据选取配置不同最高可实现±1.5T的磁场、10K样品最低温度、1273K样品最高温度等性能。具有磁场范围大、温区广等特点。可满足客户在不同温度或不同磁场下对材料的电阻率、载流子浓度、载流子类型、霍尔系数、电子迁移率等参数进行测量。

系统特点：

• 具有连续可变的磁场环境，可选±0.8T或±1.5T两种配置
• 具有较丰富的温度选件，包含：室温、液氮单点、10K-400K闭循环低温选件、室温-1273K高温选件
• 迁移率范围：0.01-10^6
• 可测样品电阻范围：10mΩ-100GΩ
• 载流子浓度：8 × 102 到 8 × 1023 cm-3
• 室温屏蔽盒为样品提供室温测试环境，提供多种室温样品卡，满足各种规格的样品的霍尔测试。
• 可通过滑轨快速切换低温恒温器与室温屏蔽盒，可快速切换样品或更换样品环境，提高换样效率。

测试材料：

• 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）
• 有机材料：（OFET、OLED）
• 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（铟镓锌氧化物）等）
• 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料：石墨烯、BN、MoS2

参数和指标：

• 集成电路
• 芯片
• 晶圆片